大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌，ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。 然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件，它本身的输入电阻很高。而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电；又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 01 MOS管本身的输

同步降压转换器的击穿现象 负载点电源模块供应系统 (POL) 或使用点电源供应系统 (PUPS) 等供电系统都广泛采用同步降压转换器。这种同步降压转换器采用高端及低端的 MOSFET 取代传统降压转换器的箝位二极管，以便降低负载电流的损耗。同步降压转换器，工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击穿现象会导致电流在开关的一瞬间出现尖峰，令转换器无法发挥其最高的…