半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。 在为半导体器件电气特点编制准确的BG时，比如特殊的NANO-FETs，业内的科研人员、科学家和工程师都面临着一个共同的问题。当需要证明能够实际上以简便的、可重复