利用零电压来消除米勒效应

如何采用零电压消除米勒效应。在设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下，比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSFET，芯片尺寸就会较大，从而输入电容也较大。也就是说，导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗。当开关频率提高时，问题将变得更为棘手。

图1是MOSFET导通和关断时的典型栅电流图。在导通期间，流经控制器Vcc引脚的峰值电流对Vcc充电；在关断期间，存储的电流流向芯片的接地端。如果在相应的面积上积分，即进行篿gate（t）dt，则可得到驱动晶体管的栅电荷Qg 。将其乘以开关频率Fsw，就可得到由控制器Vcc提供的平均电流。因此，控制器上的总开关功率（击穿损耗不计）为：

Pdrv = Fsw×Qg×Vcc （1）

如果使用开关速度为100kHz 的12V控制器驱动栅电荷为100nC的MOSFET，驱动器的功耗即为100nC×100kHz×12V=10mA×12V=120mW （2）

图2 MOSFET中的寄生电容

MOSFET的物理结构中有多种寄生单元，而其中起关键作用的是电容，具体见图2。产品数据表中的三个参数采取如下定义：当源-漏极短路时，令Ciss=Cgs+Cgd；当栅-源极短路时，