半导体工业迎来电子元器件细微化新挑战

发布日期:2014-06-24 17:59,查看次数:979

半导体行业组织 (ITRS)发表的报告表明,半导体元器件越设计越小,其变化趋势要快于两年前的预测,这为半导体产业带来一系列新的挑战。

半导体业日新月异,元器件工艺以快于预期的速度朝着细微化方向发展,在降低制造成本的同时赋予器件以更多的功能。

ITRS认为,由于半导体制造工艺精细化进程如此之快,传统的晶体管很快将成为过时的玩意,将需要新的结构来推动半导体技术的发展。如果该产业继续用目前的做法来缩小器件的尺寸,则它将在2014年前遇到麻烦。为避免走入困境,目前半导体业正在研究在CMOS中加入锗等新的材料。其它材料包括超薄硅绝缘体。

但是,这些新材料只会使半导体业暂度难关。因此,晶体管的基本设计需要向双门晶体管(double-gated transistors)、垂直晶体管(vertical transistors)和fin场效应晶体管的方向发展,这样半导体业才能一路畅通,业内人士称该技术的研究正在走下坡路,因为其中所采用的材料难于加工。而且,已找到高介电常数电介质等新技术来解决上述难题。

International Roadmap Committee主席,同时亦在英特尔任职的Paolo Gargini说,“光刻尺寸和晶体管栅级长度继续向更小的方向加速发展,这意味着未来半导体芯片的小型化、高速化和便宜化的进展将更为迅猛。”

Gargini说,“展望15年后的未来,晶体管栅级长度预计只有9纳米。我们开始考虑超越平面技术,甚至CMOS以后的器件。”

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